Поддерживаемые типы памяти ddr 266 sdram ddr 333 sdram ddr 400 sdram

Обновлено: 15.01.2025

Материнская плата ASRock P4VM800 Память 2 гнезда DDR DIMM: DDR1 и DDR2 1 гнездо DDR DIMM поддерживает память PC3200 (DDR400), макс. 1 Гб 2 гнездо DDR DIMM поддерживает память PC2700 (DDR333) / PC2100 (DDR266), макс. 2 Гб

Сейчас стоит 256Мб/166 - DDR333. Хочу добавить 1Гб (DDR400) в первое гнездо. Говорят, что если не убрать 256Мб, которые установлены сейчас, то эта планка будет "тормозить" память DDR400. Так ли это?

Это не так. Она вообще работать не будет. Либо одно либо другое.

DDR1+DDR2 работать скорее всего не будут. Если к DDR1-333 добавить DDR1-400, то такая связка будет работать на частоте 333.

> Память 2 гнезда DDR DIMM: DDR1 и DDR2 1 гнездо DDR DIMM поддерживает память PC3200 (DDR400), макс. 1 Гб 2 гнездо DDR DIMM поддерживает память PC2700 (DDR333) / PC2100 (DDR266), макс. 2 Гб

Вот убейте меня, а я этого так и не понял. Автор, объясни нормально, дабы телепатию не приходилось включать.

> Вот убейте меня, а я этого так и не понял. Автор, объясни нормально, дабы телепатию не приходилось включать.

Материнка для любителей экономить на мозгах. Так и получается в итоге.

Я понимаю, что материнка и ту и ту память поддерживает. Я не пойму, что и куда он туда вставляет. Там поток сознания вместо фактов.

Материнская плата ASRock P4VM800

2 гнезда DDR DIMM: DDR1 и DDR2

1 гнездо DDR DIMM поддерживает память PC3200 (DDR400), макс. 1 Гб

2 гнездо DDR DIMM поддерживает память PC2700 (DDR333) / PC2100 (DDR266), макс. 2 Гб

Дословно из прилагаемой документации.

Вот и я не телепат :)

Значит так. 2anonymous, автор темы. 1) Данная мсатеринка, ASRock P4VM800, ДДР2 _не_ поддерживает. Либо пишите правильно название материнки либо перестаньте фантазировать на тему поддержки DDR2 этой материнкой. 2) Материнки, поддерживающие DDR2 и DDR, существуют и не являются редкостью. НО ! _НЕ_ одноврменно. У них обычно 4 слота - 2 слота DDR и 2 слота DDR2. Либо вставляете DDR и работате либо вставляете DDR2 и работаете. Вместе DDR и DDR2 работать не будут никак. Исчерпывающе ?

Я, кажется, разобрался. Ни о какой DDR2 речи и не идёт. Это какие-то идиотские названия слотов. Если доставить DDR400 к уже работающей DDR333, может произойти всё, что угодно, но скорее всего, по причине одинаковости таймингов на большинстве модулей DDR, оба модуля будут работать как DDR333. Но может, c небольшой вероятностью, если установлен экзотический модуль, произойти опускание и до DDR266 и до DDR200.

toAuthor а поэкперементировать не пробовал ?

могу написать одно что я себе так сжег одну мат. плату, когда случайно всунул не ту DDR :)

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM

214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передача данных в секунду (MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	DDR2-400	100 МГц	200 МГц	400	3200 МБ/с
PC2-4200	DDR2-533	133 МГц	266 МГц	533	4200 МБ/с
PC2-5300	DDR2-667	166 МГц	333 МГц	667	5300 МБ/с
PC2-5400	DDR2-675	168 МГц	337 МГц	675	5400 МБ/с
PC2-5600	DDR2-700	175 МГц	350 МГц	700	5600 МБ/с
PC2-5700	DDR2-711	177 МГц	355 МГц	711	5700 МБ/с
PC2-6000	DDR2-750	187 МГц	375 МГц	750	6000 МБ/с
PC2-6400	DDR2-800	200 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC2-7100	DDR2-888	222 МГц	444 МГц	888	7100 МБ/с
PC2-7200	DDR2-900	225 МГц	450 МГц	900	7200 МБ/с
PC2-8000	DDR2-1000	250 МГц	500 МГц	1000	8000 МБ/с
PC2-8500	DDR2-1066	266 МГц	533 МГц	1066	8500 МБ/с
PC2-9200	DDR2-1150	287 МГц	575 МГц	1150	9200 МБ/с
PC2-9600	DDR2-1200	300 МГц	600 МГц	1200	9600 МБ/с

DDR3 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передач данных в секунду(MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC3-6400	DDR3-800	100 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC3-8500	DDR3-1066	133 МГц	533 МГц	1066	8533 МБ/с
PC3-10600	DDR3-1333	166 МГц	667 МГц	1333	10667 МБ/с
PC3-12800	DDR3-1600	200 МГц	800 МГц	1600	12800 МБ/с
PC3-14400	DDR3-1800	225 МГц	900 МГц	1800	14400 МБ/с
PC3-16000	DDR3-2000	250 МГц	1000 МГц	2000	16000 МБ/с
PC3-17000	DDR3-2133	266 МГц	1066 МГц	2133	17066 МБ/с
PC3-19200	DDR3-2400	300 МГц	1200 МГц	2400	19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Kingston KVR800D2N6/1G
OCZ OCZ2M8001G
Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

Еще пару лет назад подавляющее большинство персональных компьютеров оснащалось динамической памятью SDRAM PC100 или PC133. Но в погоне за быстродействием на смену этому типу памяти пришла память DDR200, затем DDR266, далее DDR333, а сейчас доступна память DDR400. Не за горами и новая память DDR-II, и уже поговаривают о новом стандарте DDR-III.

ипы памяти, представленные сегодня на рынке, отличаются большим разнообразием. Кроме того, существуют различные варианты одного и того же типа памяти. Например, встречается память DDR333 с характеристикой CL=3 и CL=2,5. Короче говоря, разобраться во всех этих нюансах неискушенному пользователю не так-то просто. Попробуем осуществить небольшой ликбез по современным типам памяти и основам ее функционирования.

Теоретические основы

Схема памяти на основе конденсаторов обладает одним недостатком: заряд конденсатора не может сохраняться бесконечно долго. По законам физики неизбежно происходит самопроизвольный разряд конденсаторов, вследствие чего память на основе массива конденсаторов требует периодического подзаряда конденсаторов или регенерации. Именно поэтому такая память называется динамической.

Для того чтобы получить доступ к той или иной ячейке памяти (например, для записи или считывания данных), необходимо указать ее адрес. Поскольку ячейки памяти образуют матрицу, то для задания адреса ячейки нужно указать номер столбца (адрес столбца) и номер строки (адрес строки).

Если данные появляются в ближайший момент за фронтом тактового импульса, то они будут считаны только с началом следующего тактового импульса. Так происходит по той причине, что сигналом к считыванию данных является не уровень тактового импульса, а его фронт. Поэтому при использовании асинхронной памяти часто возникает задержка с обработкой данных, что, в свою очередь, приводит к жестким ограничениям на частоту системной шины.

В связи с этим на смену асинхронной памяти пришла синхронная динамическая память SDRAM (Synchronous DRAM). В синхронной памяти обеспечивается синхронизация всех входных и выходных сигналов с тактами системного генератора. Однако управление памятью усложняется, так как приходится вводить дополнительные регистры-защелки, в которых хранятся адреса, данные и управляющие сигналы. Все типы современной памяти (SDR, DDR и DDR-II) являются именно синхронной динамической памятью, причем основной принцип организации памяти остается неизменным.

Как уже говорилось, в синхронной памяти между подачей стробирующих импульсов CAS и RAS, то есть между моментами считывания адреса строки и адреса столбца в пределах выбранной строки имеется определенная задержка, измеряемая в периодах синхроимпульсов. Эта задержка называется RAS to CAS Delay и для синхронной памяти варьируется от 2 до 3 тактов.

Аналогичным образом после подачи сигнала СAS и до появления первого элемента данных на шине проходит определенный временной промежуток, измеряемый в тактах и именуемый CAS Latency. Каждый последующий элемент данных появляется на шине данных в очередном такте. Для SDRAM-памяти эта задержка может составлять 2 или 3 такта. CAS Latency (CL) является одной из основных характеристик и указывается на модулях памяти. Например, на модуле может быть указано CL=2, что означает задержку в 2 такта.

Завершение цикла обращения к банку памяти осуществляется посредством команды деактивации, которая подается за 1 или за 2 такта перед выдачей последнего элемента данных. Время деактивации RAS Precharge также измеряется в тактах и может быть равно 2 или 3 тактам.

Описанные времена RAS to CAS Delay (Trcd), CAS Latency (Tcl) и RAS Precharge (Trp) определяют тайминг памяти, записываемый в виде последовательности Tcl-Trcd-Trp. Временные диаграммы при обращении к синхронной памяти для тайминга 2-2-2 показаны на рис. 1.

Кроме организации страничного доступа с пакетной обработкой данных, в SDRAM-памяти используется деление всей памяти на четыре независимых банка (Bank0, Bank1, Bank2, Bank3), что позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть одновременно могут быть открытыми несколько страниц. Доступ к этим страницам чередуется (Bank Interleaving), что приводит к устранению задержек и обеспечивает создание непрерывного потока данных.

Пропускная способность (Мбайт/с) = Частота шины памяти (МГц) Ѕ 8 байт.

Относительно пропускной способности памяти отметим, что здесь имеется в виду только режим страничного пакетного доступа, то есть когда данные считываются на каждом такте. Если же речь идет о произвольной выборке данных, расположенных в разных строках, то необходимо учитывать, что для доступа к каждому такому элементу данных требуется несколько подготовительных циклов, количество которых определяется суммой RAS to CAS Delay и CAS Latency.

DDR-память

В соответствии со спецификацией DDR-память имеет структуру из четырех независимых банков (как и в памяти SDRAM PC100/133), что позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть можно одновременно иметь несколько открытых страниц. Кроме того, в DDR-памяти предусматривается пакетный доступ к данным, а длина пакета может составлять 2, 4 и 8 элементов.

В DDR-памяти данные могут передаваться два раза за такт, поэтому латентность CAS может оказаться не целой величиной, а кратной 0,5 такта. К примеру, на модуле памяти может использоваться обозначение CL=2,5, то есть CAS Latency составляет 2,5 такта системной частоты.

Вообще же, в соответствии со спецификацией на DDR-память предусматривается латентность CAS равная 2 и 2,5. Латентности 1,5 и 3 являются опциональными.

DDR-II

тандарт DDR-II пока еще находится в стадии утверждения, и широкое распространение память DDR-II получит лишь в 2005 году.

Если следовать терминологии DDR (Double Data Rate), то память DDR-II логично ее было бы назвать QDR (Quadra Data Rate), так как этот стандарт подразумевает в четыре раза большую скорость передачи: при пакетном режиме доступа данные передаются четыре раза за один такт.

Несмотря на увеличение скорости передачи в четыре раза по сравнению с обычной SDR (Single Data Rate) SDRAM-памятью, базовые принципы остались прежними. Само ядро памяти работает на тех же тактовых частотах, что и ядро памяти SDR и DDR.

Напомним, что для получения удвоенной скорости передачи в памяти DDR к синхронизирующему сигналу добавлялся инверсный, что позволяло считывать данные как по положительному, так и по отрицательному фронту тактирующего импульса и достигать удвоенной скорости передачи. Но каким же образом удается еще в два раза повысить скорость передачи по сравнению с DDR-памятью?

Предположим, что у нас имеется не одно, а два совмещенных ядра DDR. Каждое такое ядро позволяет производить выборку двух битов данных за такт, но в сумме получается, что за один такт происходит передача уже четырех битов. В реальности, конечно, используется одно ядро, но выборка данных происходит уже с учетверенной скоростью. При этом само ядро, как и прежде, тактируется на частоте 100, 133 или 166 МГц.

Память DDR-II, как и DDR, использует архитектуру из четырех банков с такой же длиной строки (страницы), как и в памяти DDR. Минимальная длина пакета равна 4 (в памяти DDR минимальная длина пакета равна 2). Набор команд DDR-II совместим с набором команд DDR.

Новые модули памяти DDR-II уже не будут совместимы по контактам с модулями DDR-памяти. Вместо 184-контактных модулей будут применяться 232-контактные модули. Кроме того, в них будет использоваться пониженное напряжение: 1,8 В против 2,5 В в модулях DDR. Учитывая, что поглощаемая мощность пропорциональна тактовой частоте, емкости памяти и квадрату напряжения, при прочих равных условиях снижение напряжения позволит почти вдвое снизить поглощаемую мощность.

DDR-III

Окончательные спецификации DDR-III будут приняты JEDEC к концу 2005 года, примерно тогда же появятся первые образцы новых чипов, а массовое появление чипов DDR-III ожидается в 2007 году.

Предполагается, что для снижения паразитных шумов при работе на высоких частотах в чипах DDR-III будут применяться сигнальная технология шунтирующих цепей SLT (Short-Loop Through), уже применяемая в некоторых чипах стандарта DDR-II и позволяющая исключить возникновение затуханий, возникающих при распространении сигнала от шины памяти к каждому модулю системы.

DDR-400 что это?

Если вам попался модуль памяти с данной маркировкой, то с уверенностью можно сказать что это DDR первого поколения, тот, который был перед DDR2.

Цифра 400 в названии показывает рабочую частоту планки памяти в мегагерцах. Довольно часто на таких модулях можно встретить маркировку PC-3200. Это говорит о том, что его пропускная способность составляет 3200 мегабайт в секунду.

Присутствие маркировки PC-3200

В зависимости от рабочей частоты и пропускной способности выделяют следующие типы оперативной памяти DDR первого поколения:

PC-1600	DDR-200
PC-2100	DDR-266
PC-2400	DDR-300
PC-2700	DDR-333
PC-3200	DDR-400
PC-3500	DDR-433
PC-3700	DDR-466
PC-4000	DDR-500
PC-4200	DDR-533
PC-5600	DDR-700

Все это оперативная память DDR первого поколения. Она не совместима с другими типами ОЗУ (DDR2, DDR3, DDR4), так как расположение ключа у них всех разное. Такой модуль физически не войдет в разъем на материнской плате, кроме плат с поддержкой DDR первого поколения.

Разница в расположении ключа на разных поколениях ОЗУ DDR

По состоянию на 2019 год DDR400, как и все поколение DDR1, официально можно считать мертвым. Такая память, так же как и материнские платы с ее поддержкой, давным давно сняты с производства. Она может представлять ценность только для очень старых компьютеров, доживших до наших дней.

Читайте также: