Цоколевка кт3102 в металлическом корпусе

Обновлено: 05.01.2025

КТ3102 один из популярных отечественных биполярных транзисторов с большим коэффициентом усиления, высокочастотный, маломощный с n-p-n структурой. Транзистор КТ3102 (как и его комплементарную пару КТ3107) ещё называют супербета, благодаря малой толщине базы его коэффициент усиления по току может достигать тысячи.

КТ3102 цоколевка

Транзистор КТ3102 выпускался как в металлостеклянном так и в пластиковым КТ-26 (зарубежный аналог ТО92).

Обратите внимание на рисунке показан вид снизу.
В верхней части рисунка показана цоколевка КТ3102 в металическом корпусе, это транзисторы без последный буквы М: КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К.
В нижней части рисунка показана цоколевка КТ3102 в пластиковом корпусе, это транзисторы в обозначении которых есть заключительная буква М: КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ. Ещё говорят что у КТ3102 цоколевка КБЕ.

Маркировался КТ3102 как полным буквенноцифровым обозначением, так и цветными точками.

КТ3102 параметры

19 thoughts on “ КТ3102 цоколевка, КТ3102 параметры ”

Они сейчас в smd корпусах выпускаются.

В smd (sot-23) есть полные (если не ошибаюсь) аналоги: КТ3130 (зарубежные BC846, BC847).

Возможно это КТ3130, но в продаже я их видел как КТ3102. Торгаши могли напутать. К ним бы еще аналог КТ3107 в smd, для комплементарности.

По параметрам на КТ3107 очень похожи серии КТ3129А9 — КТ3129Ж9 и 2Т3129А9 — КТ3129Ж9. Правда «букву на букву» может не получиться заменить, нужно смотреть справочник.
Думаю КТ3129 и КТ3130 проектировались как комплементарная пара и как замена BC857 и BC847.
Даже отечественный корпус КТ-46 сделали, аналогичный sot-23.

«По параметрам на КТ3107 очень похожи серии КТ3129А9»
——
Хэх, а они у меня есть, оказывается, КТ3129А9. Даже не помню где покупал, но пакетик с ними лежит шкафу.

Хороший транзистор, особенно на то время, когда еще в железе (иногда позолоченном) выпускался… для дискретного использования. Беда в том, что трехзначный коэффициент усиления, подвинул многих на упрощение схемотехники аналоговой звуковой аппаратуры. И родились монстры с двумя 3102-3107 на входе и 825-827 на выходе, запитанные 40 Вольтами, выдающие до 200 Вт на канал в пике. Какой ужас, причем, не тихий, а громкий ужас. Видимо, такая «простота» и породила движение борцов с громким звуком.
ЗЫ Когда под рукой нет ничего, кроме молотка — все вокруг, кажется гвоздями )

Чем 3102 в металле лучше пластмассового? Я не заметил каких-либо преимуществ, точно такие же транзисторы. Для КТ502/КТ503 пластиковый корпус был роковым, от нагрева пластик деформировался и повреждались кристаллы полупроводников. КТ3102 не приходится рассеивать большие мощности, ему пластмассовая упаковка в самый раз. Кроме того страдал дизайн печатных плат при использовании их с комплиментарными КТ3107. Не слишком хорошо выглядит монтаж, где часть транзисторов металлические, а другие пластмассовые. 3107 же в металле видеть не приходилось, их вроде как совсем не существует.

Да, есть у пластиковых корпусов один маленький плюсик. Когда нет транзисторных сборок для дифференциальных пар, можно подобрать пару из россыпи транзисторов и включить их обеспечив плотный тепловой контакт. Вот тут с транзисторами в металле возникают проблемы, приходится придумывать всякие скобки-зажимы из меди и латуни для соединения. Пластиковые же просто прижимаются друг к другу плоскими поверхностями с капелькой термопасты, на сложенные вместе корпуса надевается обрезок термоусадки и стягивается все это дело паяльным феном.

Вот кстати нашел плату где как раз КТ3102 в металлостеклянном корпусе, а КТ3107 в пластиковом. Думаю плата была разведена под пластиковые корпуса, а КТ3102 взяли из старых запасов.

Да, я тоже видел такие, где часть транзисторов в металле, часть в пластмассовых корпусах. Странные такое чувство, когда смотришь на плату с компонентами пусть из одной эпохи, но из разных ее этапов.

Мне, все-таки кажется, что это обусловлено разной структурой и характеристиками транзисторов (при разработке), а кто-то, потом поставил то, что было под рукой (а это, как правило, более современные модели), а так, как корректирующие цепи и широкие доступы замены единичных элементов устройства позволяют такие жесты, не влияя сильно на его конечные параметры, то и относятся к этому с нашим пресловутым Авось. А этот Авось, хоть и кривенько, да вывозит. Такая вот загагулина, могли и 315-й втулить постаравшись.

При производстве транзисторов разных типов с одинаковыми параметрами есть определенные сложности. Например из германия проще изготовить pnp транзистор, чем npn. А из кремния проще изготовить биполярный npn и n-канальный полевой. Такая нессиметричность связана с тем что для получения n или p типа проводимости нужно легировать полупроводник разныеми веществами, а свойства эти веществ отличаются.
Сейчас технологии легирования кремния усовершенствовались, что позволяет выпускать комплементарные транзисторные пары с более близкими характеристиками.

А ведь верно, комплиментарных на 100% транзисторов с разным типом проводимости не существует. Пока у меня был только измеритель h21э, я верил, что подобрав транзисторы по усиления при определенном токе коллектора я получаю «правильную» пару n-p-n и p-n-p для установки в выходной каскад УНЧ. Засомневался когда сделал приставку-характериограф к осциллографу. Уж больно заметно расходились ветки ВАХ у «подобранных» транзисторов ниже и выше точек, в которых измерялся h21э. Но списывал происходящее на низкую разрешающую способность осциллографа, и на свою криворукость и как следствие «плавание» показаний.

Сейчас делаю понемногу цифровой характериограф, в ходе испытаний которого (вернее, его частей) увиденная ранее картина подтвердилась. Как ни подбирай транзисторы, все равно из целого ведра едва ли одну подходящую пару найдешь, у которых ВАХ одинаковы на всем протяжении. При этом из транзисторов одной структуры запросто подбирается несколько идентичных пар из десятка-другого ПП приборов.
Поэтому, когда буду делать окончательный вариант УМЗЧ для домашнего аудиокомплекса, остановлюсь наверное на цирклотроне, где выходные (предвыходные) транзисторы одной структуры и включены одинаково (оба с ОЭ или с ОК).

КТ3102 вообще не составной транзистор! Это ошибка автора блога!

Побывал в отпуске, тоже иногда надо )
Почему не составной? Не совсем Даррлтнгтона — да, но составной, причем, насколько известно мне (хотя далеко не все) там три кристалла не подложке, а не два, как в первоначальном варианте, и не по дарлингтону. Это касается золоченный ракетных. Кому верить? решайте сами — но я их разбирал и нетолько.
Пластик не разбирал — врать не буду.

Простые и дешевые транзисторы. Широко применяются. Я часто их использую в качестве ключей в обвязке микроконтроллеров. Ток коллектора позволяет нагрузить маломощное 5-и вольтовое реле для гальваниченской развязки контролера.

А вообще интересная ситуация с данной парочкой. 3102 появился на несколько лет раньше, чем 3107, был одет в металл, был составным и имел коэффициент усиления поболее 1000, но был одинок. Потом переоделся в пластик (а на память приобрел М в маркировку), стал супербетой, потерял в коэффициенте, но приобрел комплементарную пару. ВАХи у 2Т3102Г и КТ3102ГМ — как у разных транзисторов. Цена тоже ) хотя и по другой причине. Для качественной работы со Звуком, хоть парой, хоть по одному, они не очень подходят.

Транзистор КТ315

КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный, высокочастотный, малой мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение КТ-13 и КТ-26 (TO-92).

Предназначение

Транзистор предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, а также в схемах импульсных устройств в аппаратуре общего назначения.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.

Корпус, цоколевка и размеры

Характерные особенности

Относительно высокий коэффициент усиления h_FE: значение до 350 в схеме с общим эмиттером.
Относительно широкая полоса пропускания: частота среза f_T ˃ 250 МГц.
Комплементарная пара: КТ361, КТ361-1.

Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр	Мощность рассеивания,	Напряжение коллектор-эмиттер,	Напряжение коллектор-база,	Напряжение база-эмиттер,	Ток коллектора постоянный,	Температура п/п перехода,	Диапазон температур внешней среды
Обозначение/Тип	P_C, Вт	U_CE, В	U_CB, В	U_BE, В	I_C, А	T_J, °С	°С
КТ315А	0,15	25	25	6	0,1	120
КТ315А1	0,15	25	25	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Б	0,15	20	20	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Б1	0,15	20	20	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315В	0,15	40	40	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315В1	0,15	40	40	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Г	0,15	35	35	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Г1	0,15	35	35	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Д	0,15	40	40	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Д1	0,15	40	40	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Е	0,15	35	35	6	0,1	120	-60°С…+100°С
КТ315Е1	0,15	35	35	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Ж	0,1	15	15	6	0,05	120	-60°С…+100°С
КТ315Ж1	0,1	20	20	6	0,05	120	-45°С…+100°С
КТ315И	0,1	60	60	6	0,05	120	-60°С…+100°С
КТ315И1	0,1	60	60	6	0,05	120	-45°С…+100°С
КТ315Н1	0,15	20	20	6	0,1	120	-45°С…+100°С
КТ315Р1	0,15	35	35	6	0,1	120	-45°С…+100°С

Электрические параметры

Параметр	Ток коллектора выключения	Ток эмиттера выключения	Статический коэффициент усиления	Напряжение насыщения	Напряжение насыщения	Частота среза	Емкость коллектора	Пост. времени коллектор-ной цепи
Обозначение	I_CBO, мкА	I_EBO, мкА	h_FE	U_CE(sat), В	U_BE(sat), В	f_T, МГц	пФ	пс
Режим/Тип	U_CB = 10 В I_E = 0	U_BE = 6 В	U_CB = 10 В I_E = 1 мА	I_C = 20 мА I_B = 2 мА	I_C = 20 мА I_B = 2 мА	U_CE = 10 В I_E = 5 мА	U_CB = 10В	U_CB = 10 В I_E = 5 мА f = 5 МГц
КТ315А	1	30	20…90	0,4	1,1	7	˂ 300
КТ315А1	0,5	30	0,4	1	˃ 250	7
КТ315Б	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Б1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315В	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315В1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Г	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Г1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Д	1	30	20…90	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Д1	0,6	30	20…90	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Е	1	30	50…350	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Е1	0,6	30	50…350	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Ж	1	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	˂ 1000
КТ315Ж1	0,6	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	300…1000
КТ315И	1	50	˃ 30	-	-	˃ 250	-	-
КТ315И1	0,6	50	˃ 30	0,9	1,35	˃ 250	10	300…1000
КТ315Н1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Р1	0,5	3	150…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Маркировка

Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.

Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
КТ315, КТ315-1	0,15	6	0,1	120	250	7
КТ3151 A9/B9/D9/E9/G9/V9	0,2	20…80	20…80	5	0,1	175	100	15	20…80	SOT23 (КТ-46)
КТ3153 A9	0,15	60	50	5	0,4	150	250	4,5	100…300	SOT23 (КТ-46А)
КТ3102	0,25	20…50	20…50	5	0,2	125	-	6	100…1000	TO-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
КТ315А	0,15	25	25	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP719 ٭	0,15	25	25	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Б	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP720 ٭	0,15	20	20	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315В	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP721 ٭	0,15	40	40	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Г	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315Д	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
2SC641	0,1	40	15	5	0,1	150	400	6	45…160	TO-92
КТ315Е	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
2N3397	0,36	25	25	5	0,1	150	-	10	55…800	TO-92
КТ315Ж	0,1	15	15	6	0,05	120	250	7	30…250	КТ13
2SC545	0,12	20	20	4	0,03	125	175	-	60	TO-92
2SC546	0,12	30	30	4	0,03	125	300	-	40	TO-92
BFY37i	0,15	25	20	5	0,1	175	270	2,3	˃ 35	TO-18
2SC388	0,3	30	25	4	0,05	150	300	2	20…200	TO-92
КТ315И	0,1	60	60	6	0,05	120	250	-	˃ 30	КТ13
2SC634	0,18	40	40	-	0,1	125	140	4,5	-
2SC9014	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60	TO-92
BC547	0,5	50	50	6	0,1	150	300	6	110	TO-92
2N3904	0,31	60	40	6	0,2	135	300	4	40	TO-92
КТ315Н1	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	TO-92
2SC633	0,3	26	26	6	0,2	125	112	7	TO-92
КТ315Р1	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	150…350	TO-92
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13

٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE₍_sat₎ от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера I_E при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении U_CE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τ_С [пс] от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера I_E = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

Транзистор КТ3102

КТ3102 — один из популярнейших транзисторов советского времени. Его и сейчас широко используют в схемах предварительного усиления, где необходимы элементы с низким уровнем собственных шумов. Помимо НЧ-устройств, модификации КТ3102 работают в усилителях и генераторах СЧ и ВЧ диапазона. Его характеристики не утратили своей актуальности в настоящее время.

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	Ед.изм.
U_{кб max}	Напряжение коллектор-база	20…50	В
U_{кэ max}	Напряжение коллектоp-эмиттеp (R_бэ=10кОм)	20…50	В
U_{эб max}	Напряжение эмиттер-база	5	В
I_{к max}	Постоянный ток коллектора	200	мА
I_{к имп max}	Импульсный ток коллектора (tu 500)	250	мА
P_{к max}	Рассеиваемая мощность коллектора	250	мВт
T_j	Температура перехода	125	°C

Основные электрические характеристики

Обозначение	Параметр	Режим изм.	мин.	макс.
I_кбо	Обратный ток коллектора	U_кб=U_кб max, I_э=0	15…50	нА
I_эбo	Обратный ток эмиттеpа	U_эб=5B	мкА
h_21Е	Статический коэффициент передачи тока	U_кб= 5B, I_э= 2мA f=50Гц	100	1000
C_к	Емкость коллекторного перехода	U_кб= 5B, f=10MГц	6	пФ
h_21Е	Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	U_кб= 5B, I_э=10мA f=100МГц
	КТ3102АМ, БМ, ВМ, ГМ, ЖМ, ИМ, КМ		2
	КТ3102ДМ, ЕМ		3
К_ш	Коэффициент шума	U_кэ= 5В, I_к=0,2мА	4
Постоянная времени цепи обратной связи	U_кб= 5B, I_э=10мА,	100

Значения в таблице для температуры 25°C.

Перечень модификаций транзистора КТ3102

Транзистор имеет несколько видов. В обозначении на них указывает буква русского алфавита. Между собой они различаются различным диапазоном основных параметров. В первую очередь, это относится к коэффициенту усиления и допустимому напряжению на выводах элемента.

Группа	U_{кб max,} В	U_{кэ max,} В	h_21Е	I_кбо, нА	U_кб, В	К_ш, дБ
КТ3102АМ	50	50	100…250	50	50	10
КТ3102БМ	50	50	200…500	50	50	10
КТ3102ВМ	30	30	200…500	15	30	10
КТ3102ГМ	20	20	400…1000	15	20	10
КТ3102ДМ	30	40	200…500	15	30	4
КТ3102ЕМ	20	20	400…1000	15	20	4
КТ3102ЖМ	50	50	100…250	15	50	-
КТ3102ИМ	50	50	200…500	15	50	-
КТ3102КМ	20	50	200…500	50	30	-

Маркировка (цветовая, кодовая)

Транзисторы КТ3102 до 1986 года, с корпусом КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. Цвет точки на верхнем торце корпуса, определяет модификацию:

А – бордо;
Б – желтый;
В – зеленый;
Г – голубой;
Д – синий;
Е – белый;
Ж – коричневый;
И – серебряный;
К – оранжевый;
Л(И) — светло-табачный;
М(К) — серый.

Начиная с 1986 года начала использоваться стандатная маркировка — использование специальных символов. Для КТ3102 — белый прямоугольный треугольник, расположенный на передней части корпуса (слева сверху), обозначающий его модель (тип). Справа указывается групповая принадлежность, а в нижней части дата (год, месяц) выпуска.

Сегодня производители не используют различные символы в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора.

Зарубежные и отечественные аналоги транзистора КТ3102

Наиболее часто для замены КТ3102 используют элементы, приведенные в таблице 1.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
КТ3102	50	0,2	0,25	100	100
Отечественный
КТ611Б	180	0,1	3	30	60
КТ315Б	20	0,1	0,15	50	250
КТ315Г	35	0,1	0,15	50	250
КТ315Е	35	0,1	0,15	50	250
Импорт
BC174	64	0,1	0,3	125	100
2SA2785	0
BC546	80	0,1	0,5	110	300
BC547	50	0,1	0,5	110	300
BC548	30	0,1	0,5	110	300
BC549	30	0,1	0,5	110	200
BC182	50	0,2	0,3	120	150

Таблица 2 включает перечень элементов, схожих по электрическим параметрам, транзистору КТ3102 конкретной категории.

Группа	Аналоги
Импорт	Отечественные
КТ3102АМ	2N4123, 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A	КТ6111А
КТ3102БМ	2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D	КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А
КТ3102ВМ	2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E
КТ3102ГМ	2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F
КТ3102ДМ	2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484
КТ3102ЕМ	2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517
КТ3102ЖМ	BC239B, MPS6518
КТ3102ИМ	BC109BP
КТ3102КМ	BC109CP

Графические данные

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера в области сверхмалых и номинальных значений.

Представленные графики отражают зависимость изменения коэффициента передачи тока транзистора КТ3102 от тока эмиттера во всем диапазоне допустимых значений. В области сверхмалых токов эмиттера, величина которых не превышает 2мкА, h 21Е ниже номинальных значений в 5-10 раз. По мере перехода транзистора в режим работы с эмиттерным током, характерным для усилительных схем, коэффициент передачи тока приобретает достаточно линейный характер. Дальнейшее нарастание тока эмиттера и достижение значений близких к предельно допустимым вызывает падение h 21Е на 30-40%.

Анализ графика позволяет сделать вывод, что транзистор рекомендуется для работы в усилительных устройствах в области допустимых электрических параметров.

Характеристики и аналоги транзистора КТ3102

Разберём технические характеристики и аналоги кремниевого транзистора КТ3102. Изготавливается он по эпитаксиально-планарной технологии и имеет n-p-n структуру. Его рекомендуется использовать в низкочастотных схемах, в которых важен низкий уровень шума, а также усилителях и генераторах, работающих на средней и высокой частоте. Главная отличительная особенность – это высокий коэффициент усиления по току.

Цоколевка

Транзисторы КТ3102А (Б, В, Д) изготавливаются в металлостеклянном корпусе КТ-17, а КТ3102АМ (БМ, ВМ, ДМ) в пластиковом КТ-26 (ТО-92). Внешний вид устройства и назначение выводов представлены на следующем рисунке.

Все КТ3102 в упаковке КТ-26 маркируются зелёной точкой на боковой поверхности и цветной на торце. Цвет зависит от буквенного обозначения устройства и праведен на изображении выше. На изделия в корпусе КТ-17 маркировка наносится сбоку.

Технические характеристики

Теперь рассмотрим технические характеристики транзисторов серии КТ3102. Начнём с максимально допустимых, как критически важных. Они измерялись при стандартной температуре 25°С:

разность потенциалов К-Б:
КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
разность потенциалов К-Э:
КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
разность потенциалов Э-Б – 5 В;
ток через коллектор – 100 мА;
кратковременный ток через коллектор (время импульса не более 40 мкс) – 200 мА;
мощность – 250 мВт;
т-ра при которой транзистор может нормально функционировать от -40 до +85 °С.

После предельных ознакомимся также с электрическими параметрами. Они важны, так как от них зависят возможности КТ3102. Измерялись при той же стандартной температуре, а остальные условия тестирования приведены в отдельном столбце таблицы.

Аналоги для любой серии КТ3102 нужно подбирать в зависимости от конкретного устройства, потому что они имеют разные буквенные индексы и отличаются по параметрам. Поэтому, возможную замену приведём в виде таблицы, в которой слева будет расположено наименование одного из транзисторов, а в правой его прототип.

Транзистор	Аналог
КТ3102	BC174, BC182
КТ3102А	2SC945, BC107AP, BC182A, BC237, BC547A, BC548A, BC550A, КТ6111А
КТ3102АМ	BC547A
КТ3102Б	BCY79, BC547C, 2N5210, 2SC945G, BC182B, BC107BP, BC546B, BC550B, BC237B, КТ6111Б, BC183B, BC183C, BC337, BC547B, 2SC1815, 2N2483
КТ3102БМ	BC547B
КТ3102В	2N3711, 2SC458, 2SC828, BC108, BC548, BC549, КТ373В
КТ3102ВМ	BC548B
КТ3102Г	2SC538, BC547C, BC548C,
КТ3102Д	2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC945, BC109, BC521, BC549A, BC549B, MPS6515

Производители

Транзистор КТ3102 (Datasheet) выпускают сразу несколько Российских предприятий, это: АО «Светлана» г. Санкт-Петербург, АО «Кремний» г. Брянск, АОЗТ «Элекс» г. Александров, Нальчинский завод полупроводниковых приборов г. Нальчик.

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Цоколевка транзисторов КТ3102 (слева) и КТ3102М, КТ3102-2 (справа)

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n решительные высокочастотные маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах высокой частоты, являются комплементарными транзисторами КТ3107А — КТ3107Л. Выпускаются в металлостеклянном или пластиковом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,5 г.

BC407 *1 , BCW31R *1 ,

BFY18 *2 , BFY17 *2 ,

BSX76, 2SC55, ВС408 *1 ,

ВС409 *1 , 2SC238,

BFY18 *2 , BFY17 *2 , BSX76, 2

SC55, ВС408 *1 , ВС409 *1 ,

ВС317А, ТВС547,

NTE2369, JC547, BCW71 *1 ,

2SC382TM *2 , ECG2418,

2SC3653, 2SC945L, 2SC3654,

ВС550,2SC3655, ECG2359,

2SC945P, 2SC945Q,

ТВС547А, JC547A,

BCW72R *1 , ВС317В,

ВС317, ВС550В, ВС560 *2 ,

ВС123 *2 , ВС549В, BF254-4,

2SC4922GA *1 , ТВС548А, ТВС548,

JC548A, ITT9014CU,

ITT9014C, 2SC388A-TM *2 ,

2SC4922GA *1 , ТВС548А, ТВС548,

JC548A, ITT9014CU, ITT9014C,

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональна замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональна замена, тип корпуса отличается.

Параметры транзистора КТ3102-2

Параметр	Обозначение		Условия	Значение	Ед. изм.
Структура	Маркировка	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_{K max,}P * _{K, τ max},P ** _{K, и max}	—	—	250	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр, f * _h21б, f _h21э, f * _max	КТ3102А2	—	≥200	МГц
		КТ3102Б2	—	≥200
		КТ3102В2	—	≥200
		КТ3102Г2	—	≥200
		КТ3102Д2	—	≥200
		КТ3102Е2	—	≥300
		КТ3102Ж2	—	≥200
		КТ3102И2	—	≥200
		КТ3102К2	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,} U * _{КЭR проб.,} U ** _{КЭО проб.}	КТ3102А2	—	50	В
		КТ3102Б2	—	50
		КТ3102В2	—	30
		КТ3102Г2	—	20
		КТ3102Д2	—	30
		КТ3102Е2	—	20
		КТ3102Ж2	—	50
		КТ3102И2	—	50
		КТ3102К2	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ3102А2	—	5	В
		КТ3102Б2	—	5
		КТ3102В2	—	5
		КТ3102Г2	—	5
		КТ3102Д2	—	5
		КТ3102Е2	—	5
		КТ3102Ж2	—	5
		КТ3102И2	—	5
		КТ3102К2	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I * _{К , и max}	КТ3102А2	—	200	мА
		КТ3102Б2	—	200
		КТ3102В2	—	200
		КТ3102Г2	—	200
		КТ3102Д2	—	200
		КТ3102Е2	—	200
		КТ3102Ж2	—	200
		КТ3102И2	—	200
		КТ3102К2	—	200
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I * _КЭR, I ** _КЭO	КТ3102А2	—	—	мкА
		КТ3102Б2	—	—
		КТ3102В2	—	—
		КТ3102Г2	—	—
		КТ3102Д2	—	—
		КТ3102Е2	—	—
		КТ3102Ж2	—	—
		КТ3102И2	—	—
		КТ3102К2	—	—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h * _21Э	КТ3102А2	—	100…200
		КТ3102Б2	—	200…500
		КТ3102В2	—	200…500
		КТ3102Г2	—	400…500
		КТ3102Д2	—	200…500
		КТ3102Е2	—	400…1000
		КТ3102Ж2	—	100…250
		КТ3102И2	—	200…500
		КТ3102К2	—	200…500
Емкость коллекторного перехода	c_к, с * _12э	КТ3102А2	—	—	пФ
		КТ3102Б2	—	—
		КТ3102В2	—	—
		КТ3102Г2	—	—
		КТ3102Д2	—	—
		КТ3102Е2	—	—
		КТ3102Ж2	—	—
		КТ3102И2	—	—
		КТ3102К2	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}	КТ3102А2	—	—	Ом
		КТ3102Б2	—	—
		КТ3102В2	—	—
		КТ3102Г2	—	—
		КТ3102Д2	—	—
		КТ3102Е2	—	—
		КТ3102Ж2	—	—
		КТ3102И2	—	—
		КТ3102К2	—	—
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r * _b, P_вых	КТ3102А2	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ3102Б2	—	—
		КТ3102В2	—	—
		КТ3102Г2	—	—
		КТ3102Д2	—	—
		КТ3102Е2	—	—
		КТ3102Ж2	—	—
		КТ3102И2	—	—
		КТ3102К2	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t * _выкл, t *** _пк(нс)	КТ3102А2	—	—	пс
		КТ3102Б2	—	—
		КТ3102В2	—	—
		КТ3102Г2	—	—
		КТ3102Д2	—	—
		КТ3102Е2	—	—
		КТ3102Ж2	—	—
		КТ3102И2	—	—
		КТ3102К2	—	—

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Читайте также: